DISPOSITIF A TRANSISTOR DE PUISSANCE AYANT UNE REGION A CONCENTRATION ACCRUE ULTRA-PROFONDE

Un dispositif à transistor bipolaire à porte isolée cellulaire ("IGBT") utilise une concentration augmentée dans la région active entre les bases espacées jusqu'à une profondeur supérieure à la profondeur des régions de base. La dose d'implants qui est la source de la concentration augmentée est d'environ 3,5 x 101 2 atomes/cm2 et est entraînée pendant environ 10 heures à 1175degré C. La durée de vie est réduite par une dose de rayonnement augmentée afin de réduire les pertes par commutation sans réduire la tension de rupture ou augmenter la chute de tension directe avant au-dessus des niveaux antérieurs. La région à concentration augmentée permet une réduction de l'espacement entre les bases et crée une région de faible gain bipolaire localisée, ce qui augmente le courant de blocage du dispositif. L'énergie d'avalanche que le dispositif peut absorber sucessivement au déclenchement d'une charge inductive est augmentée de manière significative. La région de conduction augmentée très profonde est formée avant les régions de corps et de source suivant un procédé original pour réaliser le nouveau tracé de jonction. A cellular insulated gate bipolar transistor ("IGBT") device employs increased concentration in the active region between spaced bases to a depth greater than the depth of the base regions. The implant dose which is the source of the increased concentration is about 3.5x1012 atoms per centimeter squared and is driven for about 10 hours at 1175 DEG C. Lifetime is reduced by an increased radiation dose to reduce switching loss without reducing breakdown voltage or increasing forward voltage drop above previous levels. The increased concentration region permits a reduction in the spacing between bases and provides a region of low localized bipolar gain, increasing the device latch current. The avalanche energy which the device can successfully absorb while turning off an inductive load is significantly increased. The very deep increased conduction region is formed before the body and source regions in a novel process for making the new junction pattern.