Process for the formation of an SOI structure

According to the invention, a process for the formation of an SOI structure is proposed. An insulating film 2 is formed on a monocrystalline semiconductor support 1 and an opening or window 2a is formed selectively on the insulating film in such a way that the surface 1a of the monocrystalline semiconductor support is exposed or denuded. A monocrystalline semiconductor layer 3 is caused to grow selectively by epitaxial growth solely on the exposed monocrystalline semiconductor support. Thereafter, in the same reactor as that used for the abovementioned selective epitaxial growth, a monocrystalline Si film 4 is caused to grow continuously by epitaxial growth on the insulating film and the monocrystalline semiconductor layer, with the monocrystalline semiconductor layer 3 acting as a seed so as to produce an SOI structure. Selon l'invention, on préconise un procédé de formation d'une structure SOI. Un film isolant 2 est formé sur un support semi-conducteur monocristallin 1, et une ouverture ou fenêtre 2a est formée sélectivement sur le film isolant de telle façon que la surface 1adu support semi-conducteur monocristallin soit exposée ou dénudée. On fait croître sélectivement une couche semi-conductrice monocristalline 3 par croissance épitaxiale, uniquement sur le support semi-conducteur monocristallin exposé. Puis, dans le même réacteur utilisé pour la croissance épitaxiale sélective sus-visée, on fait croître un film de Si monocristallin 4 de façon continue par croissance épitaxiale sur le film isolant et la couche semi-conductrice monocristalline, la couche semi-conductrice monocristalline 3 intervenant en tant que germe, afin de réaliser une structure SOI.