MATRICE PHOTOSENSIBLE A TRANSFERT DE TRAME D.T.C., AVEC UN SYSTEME ANTIEBLOUISSEMENT VERTICAL, ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TELLE MATRICE

La matrice photosensible 1 comporte, classiquement, un substrat semiconducteur 2 de type P, une couche de canal 4 de type N séparée par des zones étroites d'isolement 41 en une pluralité de colonnes 40, et sur une couche mince d'oxyde isolant 5 placée sur la couche de canal 4, un réseau 6 de grilles de transfert étendues perpendiculairement aux zones d'isolement 41 divisant les colonnes 40 en une multiplicité de " pixels ". Selon l'invention, la matrice 1 comporte, entre le substrat 2 et la couche de canal 4, une couche de base 3 de type P faiblement dopée dans laquelle sont enterrées des diodes d'antiéblouissement composées d'un drain 32 de type N fortement dopé, étroit et étendu parallèlement aux zones d'isolement 41. Sous le drain 32 est constitué un écran de protection 33 de type P fortement dopé. La disposition procure une ouverture optique de la matrice voisine de 1, et un rendu spectral amélioré vers le rouge, grâce à l'épaisseur de la couche de base 3. The photosensitive matrix (1) comprises, conventionally, a p-type semiconductor substrate (2), an n-type channel layer (4) which is separated by narrow isolating zones (41) into a plurality of columns (40), and an array (6) of transfer grids extending perpendicularly to the isolating zones (41) dividing the columns (40) into a multiplicity of "pixels", on a thin insulating oxide layer (5) placed on the channel layer (4). According to the invention, the matrix (1) comprises, between the substrate (2) and the channel layer (4), a weakly doped p-type base layer (3) in which are buried anti-blooming diodes composed of a narrow, strongly doped n-type drain (32) extending parallel to the isolating zones (41). A strongly doped p-type protection screen (33) is built up under the drain (32). The arrangement procures an optical aperture of the matrix close to 1, and a spectral yield which is improved towards the red, thanks to the thickness of the base layer (3).