Field-effect transistor, its method of production, and method of monolithic integration of a field-effect transistor and a laser

The invention relates, in particular, to a field-effect transistor, including a buried pn-junction gate, this transistor including: - an active layer 28 having an n-doping; - a layer 25 with high conductivity having an n doping; and being divided into two distinct parts which are separated by a gap and each of which terminates in a plane 31, 35 inclined by 45 DEG with respect to the plane of the active layer 28; - two metal pads 33, 34, constituting source and drain contacts respectively for the transistor; - a bar 30 of semiconductor material having a p type doping and including a face 37 in contact with the active layer 28 in order to constitute a pn junction which is the transistor's control gate; and having two faces 32, 36 inclined by 45 DEG with respect to the plane of the active layer 28, and separated respectively from the two end planes 31, 35 of the layers 35, by an empty gap having a constant width; - a metal pad 30 situated on the bar 23' and constituting the transistor's gate contact. Application to field-effect microwave transistors. L'invention concerne notamment un transistor à effet de champ, comportant une grille à jonction PN enterrée, ce transistor comportant : - une couche active 28, ayant un dopage N; - une couche à forte conductivité 25, ayant un dopage N**+; et étant divisée en deux parties distinctes qui sont séparées par un espace et qui se terminent chacune par un plan 31, 35 incliné de 45degre(s) par rapport au plan de la couche active 28; - deux plots de métal 33, 34 constituant respectivement des contacts de source et de drain pour le transistor; - un barreau 30 de matériau semi-conducteur ayant un dopage de type P et comportant une face 37 en contact avec la couche active 28 pour constituer une jonction PN qui est la grille de commande du transistor; et ayant deux faces 32, 36 inclinées à 45degre(s) par rapport au plan de la couche active 28, et séparées respectivement des deux plans 31, 35 terminaux des couches 35, par un espace vide ayant une largeur constante; - un plot de métal 30 situé sur le barreau 23' et constituant le contact de grille du transistor.Application aux transistors hyperfréquences à effet de champ.