Process for texturing a silicon surface

In this process for etching a flat dendritic silicon crystal in order to use it as a photovoltaic cell, a predetermined configuration of etching-resistant material is applied to a surface 111 of the silicon crystal, the configuration covering substantially the entire surface 111, and the surface 111 is etched by means of an isotropic etching material until the etching material reveals, by undermining, the configuration of the etching-resistant material substantially completely, thereby forming a set of spikes with sloping sides on the silicon crystal, the isotropic etching material and the configuration cooperating in such a way that the sloping sides have a slope which traps substantially in the interior of the silicon crystal all the light striking the silicon crystal. Dans ce procédé pour graver un cristal plat dendritique de silicium pour l'utiliser comme cellule photovoltaque, on applique une configuration prédéterminée de matériau résistant à la gravure sur une surface 111 du cristal de silicium, la configuration couvrant sensiblement la totalité de la surface 111 et on grave la surface 111 au moyen d'un matériau de gravure isotrope, jusqu'à ce que le matériau de gravure dégage par sapement sensiblement complètement la configuration du matériau résistant à la gravure, en formant ainsi un ensemble de pointes à côtés en pente sur le cristal de silicium, le matériau de gravure isotrope et la configuration coopérant de manière que les côtés en pente aient une pente qui piège sensiblement à l'intérieur du cristal de silicium toute la lumière frappant le cristal de silicium.