THYRISTOR A GAIN DE COMMANDE A L'OUVERTURE

THYRISTOR A GAIN DE COMMANDE A L'OUVERTURE

L'INVENTION CONCERNE LA TECHNOLOGIE DES SEMI-CONDUCTEURS.DANS UN THYRISTOR A GAIN DE COMMANDE A L'OUVERTURE COMPRENANT UN ENSEMBLE DE SEGMENTS AYANT CHACUN UNE STRUCTURE A QUATRE COUCHES PNPN, UNE COUCHE RESISTIVE 8 EST INTERCALEE ENTRE LA COUCHE D'EMETTEUR 4 ET L'ELECTRODE DE CA...

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1. Verfasser: HIROMU HARUKI, FUMIAKI KIRIHATA ET OSAMU HASHIMOTO
Format: Patent
Sprache:fre
Schlagworte:
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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creator HIROMU HARUKI, FUMIAKI KIRIHATA ET OSAMU HASHIMOTO
description L'INVENTION CONCERNE LA TECHNOLOGIE DES SEMI-CONDUCTEURS.DANS UN THYRISTOR A GAIN DE COMMANDE A L'OUVERTURE COMPRENANT UN ENSEMBLE DE SEGMENTS AYANT CHACUN UNE STRUCTURE A QUATRE COUCHES PNPN, UNE COUCHE RESISTIVE 8 EST INTERCALEE ENTRE LA COUCHE D'EMETTEUR 4 ET L'ELECTRODE DE CATHODE 7 DE CHAQUE SEGMENT. LA CHUTE DE TENSION QUI SE PRODUIT DANS LA COUCHE RESISTIVE 8 EMPECHE LA CONCENTRATION DU COURANT DANS UN SEGMENT SPECIFIQUE, EN PARTICULIER PENDANT LE DERNIER STADE DU PROCESSUS DE BLOCAGE, CE QUI AMELIORE L'UNIFORMITE DES COURANTS QUI CIRCULENT DANS LES SEGMENTS RESPECTIFS. IL EST AINSI POSSIBLE D'AUGMENTER CONSIDERABLEMENT LE COURANT COMMANDE A L'ETAT CONDUCTEUR.APPLICATION AUX DISPOSITIFS DE COMMUTATION DE PUISSANCE.
format Patent
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LA CHUTE DE TENSION QUI SE PRODUIT DANS LA COUCHE RESISTIVE 8 EMPECHE LA CONCENTRATION DU COURANT DANS UN SEGMENT SPECIFIQUE, EN PARTICULIER PENDANT LE DERNIER STADE DU PROCESSUS DE BLOCAGE, CE QUI AMELIORE L'UNIFORMITE DES COURANTS QUI CIRCULENT DANS LES SEGMENTS RESPECTIFS. IL EST AINSI POSSIBLE D'AUGMENTER CONSIDERABLEMENT LE COURANT COMMANDE A L'ETAT CONDUCTEUR.APPLICATION AUX DISPOSITIFS DE COMMUTATION DE PUISSANCE.</description><edition>4</edition><language>fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>1988</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=19880805&amp;DB=EPODOC&amp;CC=FR&amp;NR=2610452A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,778,883,25547,76298</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=19880805&amp;DB=EPODOC&amp;CC=FR&amp;NR=2610452A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>HIROMU HARUKI, FUMIAKI KIRIHATA ET OSAMU HASHIMOTO</creatorcontrib><title>THYRISTOR A GAIN DE COMMANDE A L'OUVERTURE</title><description>L'INVENTION CONCERNE LA TECHNOLOGIE DES SEMI-CONDUCTEURS.DANS UN THYRISTOR A GAIN DE COMMANDE A L'OUVERTURE COMPRENANT UN ENSEMBLE DE SEGMENTS AYANT CHACUN UNE STRUCTURE A QUATRE COUCHES PNPN, UNE COUCHE RESISTIVE 8 EST INTERCALEE ENTRE LA COUCHE D'EMETTEUR 4 ET L'ELECTRODE DE CATHODE 7 DE CHAQUE SEGMENT. LA CHUTE DE TENSION QUI SE PRODUIT DANS LA COUCHE RESISTIVE 8 EMPECHE LA CONCENTRATION DU COURANT DANS UN SEGMENT SPECIFIQUE, EN PARTICULIER PENDANT LE DERNIER STADE DU PROCESSUS DE BLOCAGE, CE QUI AMELIORE L'UNIFORMITE DES COURANTS QUI CIRCULENT DANS LES SEGMENTS RESPECTIFS. 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LA CHUTE DE TENSION QUI SE PRODUIT DANS LA COUCHE RESISTIVE 8 EMPECHE LA CONCENTRATION DU COURANT DANS UN SEGMENT SPECIFIQUE, EN PARTICULIER PENDANT LE DERNIER STADE DU PROCESSUS DE BLOCAGE, CE QUI AMELIORE L'UNIFORMITE DES COURANTS QUI CIRCULENT DANS LES SEGMENTS RESPECTIFS. IL EST AINSI POSSIBLE D'AUGMENTER CONSIDERABLEMENT LE COURANT COMMANDE A L'ETAT CONDUCTEUR.APPLICATION AUX DISPOSITIFS DE COMMUTATION DE PUISSANCE.</abstract><edition>4</edition><oa>free_for_read</oa></addata></record>
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