THYRISTOR A GAIN DE COMMANDE A L'OUVERTURE

L'INVENTION CONCERNE LA TECHNOLOGIE DES SEMI-CONDUCTEURS.DANS UN THYRISTOR A GAIN DE COMMANDE A L'OUVERTURE COMPRENANT UN ENSEMBLE DE SEGMENTS AYANT CHACUN UNE STRUCTURE A QUATRE COUCHES PNPN, UNE COUCHE RESISTIVE 8 EST INTERCALEE ENTRE LA COUCHE D'EMETTEUR 4 ET L'ELECTRODE DE CA...

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1. Verfasser: HIROMU HARUKI, FUMIAKI KIRIHATA ET OSAMU HASHIMOTO
Format: Patent
Sprache:fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:L'INVENTION CONCERNE LA TECHNOLOGIE DES SEMI-CONDUCTEURS.DANS UN THYRISTOR A GAIN DE COMMANDE A L'OUVERTURE COMPRENANT UN ENSEMBLE DE SEGMENTS AYANT CHACUN UNE STRUCTURE A QUATRE COUCHES PNPN, UNE COUCHE RESISTIVE 8 EST INTERCALEE ENTRE LA COUCHE D'EMETTEUR 4 ET L'ELECTRODE DE CATHODE 7 DE CHAQUE SEGMENT. LA CHUTE DE TENSION QUI SE PRODUIT DANS LA COUCHE RESISTIVE 8 EMPECHE LA CONCENTRATION DU COURANT DANS UN SEGMENT SPECIFIQUE, EN PARTICULIER PENDANT LE DERNIER STADE DU PROCESSUS DE BLOCAGE, CE QUI AMELIORE L'UNIFORMITE DES COURANTS QUI CIRCULENT DANS LES SEGMENTS RESPECTIFS. IL EST AINSI POSSIBLE D'AUGMENTER CONSIDERABLEMENT LE COURANT COMMANDE A L'ETAT CONDUCTEUR.APPLICATION AUX DISPOSITIFS DE COMMUTATION DE PUISSANCE.