CIRCUIT D'OUVERTURE RAPIDE POUR TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A MODULATION DE CONDUCTIVITE

UN CIRCUIT DE COMMUTATION RAPIDE A L'OUVERTURE DESTINE A UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A MODULATION DE CONDUCTIVITE, OU COMFET, Q1 EVITE LA CIRCULATION DE COURANTS DE VERROUILLAGE DESTRUCTEURS. UN COURANT DE COMMUTATION A L'OUVERTURE D'AMPLITUDE REDUITE EST APPLIQUE Q3 A L'ELECTRODE DE GRILLE DU COMFET PENDANT LA PARTIE INITIALE DE LA COMMUTATION A L'OUVERTURE. LORSQUE LA TENSION SOURCE-DRAIN DU COMFET EST DEVENUE PLUS GRANDE QUE L'INTERVALLE DES BASSES TENSIONS SOURCE-DRAIN POUR LESQUELLES UN VERROUILLAGE PEUT SE PRODUIRE AVEC UN COURANT DE COMMUTATION A L'OUVERTURE D'AMPLITUDE ACCRUE, CE COURANT DE COMMUTATION A L'OUVERTURE D'AMPLITUDE ACCRUE EST APPLIQUE Q4 A L'ELECTRODE DE GRILLE DU COMFET. A fast switch-off circuit for a conductivity modulated field effect transistor (COMFET) avoids the flow of destructive latch-up currents. A reduced-amplitude switch-off current is applied to the gate electrode of the COMFET during the initial portion of switch-off. When the source-to-drain voltage (VDS) of the COMFET has become larger than the range of low VDS voltage in which latch-up can occur for an increased-amplitude switch-off current being applied to the gate electrode of the COMFET, that increased-amplitude switch-off current is applied to the gate electrode of the COMFET.