ELEMENT DE COMMUTATION SEMI-CONDUCTEUR COMMANDE, COMPRENANT AU MOINS UN THYRISTOR ET UN ELEMENT D'AMORCAGE INTEGRES DANS UNE PASTILLE

CET ELEMENT EST CONSTITUE D'AU MOINS UN THYRISTOR VERTICAL (2 OU 3) DISPOSE DANS UNE PASTILLE 1 DE MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR ET FORME DE QUATRE ZONES DE TYPES DE CONDUCTIVITE ALTERNANTS, DONT LES DEUX CONTACTS DE COURANTS DE CHARGE 6, 8 SONT DISPOSES L'UN SUR LA FACE SUPERIEURE 5 ET L'...

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1. Verfasser: JORG ANGERSTEIN ET DIETER SILBER
Format: Patent
Sprache:fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:CET ELEMENT EST CONSTITUE D'AU MOINS UN THYRISTOR VERTICAL (2 OU 3) DISPOSE DANS UNE PASTILLE 1 DE MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR ET FORME DE QUATRE ZONES DE TYPES DE CONDUCTIVITE ALTERNANTS, DONT LES DEUX CONTACTS DE COURANTS DE CHARGE 6, 8 SONT DISPOSES L'UN SUR LA FACE SUPERIEURE 5 ET L'AUTRE SUR LA FACE INFERIEURE 7 DE LA PASTILLE 1, AINSI QUE D'UN ELEMENT COMMANDE 4 QUI SERT A L'AMORCAGE DU THYRISTOR. SELON L'INVENTION, CET ELEMENT SUPPLEMENTAIRE 4 POSSEDE UNE STRUCTURE DE ZONES 11', 24, 23 22 S'ETENDANT LATERALEMENT A LA FACE SUPERIEURE 5 DE LA PASTILLE 1. DIFFERENTES ZONES 11', 12, 13 DU THYRISTOR VERTICAL 3 DE MANIERE QUE CELUI-CI EST AMORCE INDIRECTEMENT PAR L'AMORCAGE DE L'ELEMENT LATERAL 4. CELUI-CI EST CONSTITUE NOTAMMENT PAR UN THYRISTOR A COMMANDE OPTIQUE 10. The invention relates to a controllable semiconductor circuit element consisting of a vertical thyristor comprised of four zones of alternating conductivity types and arranged in a semiconductor disk, with the two load current connections located on the top surface and on the bottom surface of the semiconductor disk respectively. According to the invention, the semiconductor disk comprises an additional controllable circuit element with a lateral zone structure on the top surface of the semiconductor disk. Zones of this additional circuit element are linked with zones of the vertical thyristor in such a way as to enable the vertical thyristor to be indirectly ignited by ignition of the lateral circuit element.