CONTACT OHMIQUE LOCALISATEUR DANS LA COUCHE DE CONTACT D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR EMETTEUR DE LUMIERE

L'INVENTION CONCERNE LES DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS EMETTEURS DE LUMIERE, TELS QUE LES LASERS ET LES DIODES ELECTROLUMINESCENTES.UN TEL DISPOSITIF COMPREND, SUR SA FACE DU COTE OPPOSE A CELUI DU SUBSTRAT, UNE METALLISATION 5 DE PRISE DE CONTACT ET UNE COUCHE DANS LAQUELLE EST DIFFUSE UN CONTACT LOCALISATEUR 7. LA COUCHE DE CONTACT EST, SELON L'INVENTION, DEDOUBLEE EN DEUX COUCHES DU MEME MATERIAU. LA PREMIERE COUCHE 11, DE FORTE EPAISSEUR E, EST DE MEME TYPE DE CONDUCTIVITE QUE LA COUCHE DE CONFINEMENT 2 SOUS-JACENTE. LA DEUXIEME COUCHE 12, DE FAIBLE EPAISSEUR E, EST DE TYPE DE CONDUCTIVITE OPPOSE. LA DIFFUSION D'UN CONTACT LOCALISATEUR DU PREMIER TYPE DE CONDUCTIVITE RECONSTITUE UNE CHAINE OHMIQUE; LA DEUXIEME COUCHE 12 CONSTITUE UNE DIODE AUTOUR DU CONTACT LOCALISATEUR.APPLICATION AUX LASERS ET PHOTODIODES EMETTRICES. The invention relates to light-emitting semiconductor devices, such as lasers and light-emitting diodes. The device comprises, over the surface on the side opposite to that of the substrate, metallisation (5) for making connections and a layer into which a localising contact (7) is diffused. The contact layer is split into two layers of the same material. The first layer (11) has a large thickness (e1) and is of the same type of conductivity as the confinement layer (2) lying immediately under it. The second layer (12) has a small thickness (e2) and has the opposite type of conductivity. Diffusion of a localising contact of the first type of conductivity restores an ohmic chain; the second layer (12) forms a diode around the localising contact. Application to lasers and light-emitting diodes.