PHOTODIODE A SEMICONDUCTEUR
L'INVENTION CONCERNE LES PHOTODIODES.LA JONCTION P-N D'UNE PHOTODIODE SE TROUVE ENTRE DEUX REGIONS DE SEMICONDUCTEUR 14, 16 AYANT CHACUNE UNE BANDE INTERDITE PLUS LARGE QUE CELLE DE LA COUCHE D'ABSORPTION DE LUMIERE 12. UN TEL DISPOSITIF COMPREND UN SUBSTRAT 10 EN INP DE TYPE N, UNE C...
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| Format: | Patent |
| Sprache: | fre |
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| Zusammenfassung: | L'INVENTION CONCERNE LES PHOTODIODES.LA JONCTION P-N D'UNE PHOTODIODE SE TROUVE ENTRE DEUX REGIONS DE SEMICONDUCTEUR 14, 16 AYANT CHACUNE UNE BANDE INTERDITE PLUS LARGE QUE CELLE DE LA COUCHE D'ABSORPTION DE LUMIERE 12. UN TEL DISPOSITIF COMPREND UN SUBSTRAT 10 EN INP DE TYPE N, UNE COUCHE 12 EN INGAAS DE TYPE N FAIBLEMENT DOPE, UNE COUCHE 16 EN INGAASP DE TYPE P, ET TOUTES CES COUCHES ONT DES RESEAUX CRISTALLINS ADAPTES.APPLICATION AUX TELECOMMUNICATIONS OPTIQUES DANS LA GAMME D'ONDE DE 1,0 A 1,6 MM.
A photodetector useful between 1.0 and 1.6 microns and having an InGaAs layer with an adjacent InGaAsP p-n junction disposed on the InGaAs layer is described. |
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