PROCEDE POUR LA REALISATION DE CONFIGURATIONS EN RELIEF DE SURFACE, EN VUE D'APPLICATIONS MICRO-LITHOGRAPHIQUES

PROCEDE QUI UTILISE UN ELEMENT PHOTO-RESISTANT CONSTITUE D'UNE RESINE NOVOLAQUE COMPORTANT UNE FENETRE A FAIBLE ABSORPTION OPTIQUE DANS LA PORTION D'ULTRAVIOLET PROFOND DU SPECTRE, ET UN SENSIBILISATEUR A L'ACIDE AROMATIQUE PRESENTANT UNE CRETE D'ABSORPTION OPTIQUE ELEVEE DANS LA...

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1. Verfasser: DANIEL LOUIS ROSS ET LUCIAN ANTHONY BARTON
Format: Patent
Sprache:fre
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Beschreibung
Zusammenfassung:PROCEDE QUI UTILISE UN ELEMENT PHOTO-RESISTANT CONSTITUE D'UNE RESINE NOVOLAQUE COMPORTANT UNE FENETRE A FAIBLE ABSORPTION OPTIQUE DANS LA PORTION D'ULTRAVIOLET PROFOND DU SPECTRE, ET UN SENSIBILISATEUR A L'ACIDE AROMATIQUE PRESENTANT UNE CRETE D'ABSORPTION OPTIQUE ELEVEE DANS LA PORTION D'ULTRAVIOLET PROFOND DU SPECTRE, LADITE FENETRE DE FAIBLE ABSORPTION ET LA CRETE DE HAUTE ABSORPTION ETANT COMPLEMENTAIRES L'UNE DE L'AUTRE DANS LADITE ZONE DE LONGUEUR D'ONDE DONNEE DE LA PORTION D'ULTRAVIOLET PROFOND DU SPECTRE, ET LEDIT SENSIBILISATEUR A L'ACIDE AROMATIQUE ETANT PRESENT DANS LEDIT ELEMENT PHOTORESISTANT EN UNE QUANTITE DE 5 A ENVIRON 25 EN POIDS, BASE SUR LE POIDS COMBINE DE LA RESINE NOVOLAQUE ET DE L'ACIDE AROMATIQUE. A negative acting resist composition is used which comprises a novolak resin which has a window of low optical absorption in the deep ultraviolet range and an aromatic azide sensitizer which has a complementary peak of high optical absorption in the deep ultraviolet range. The resist composition is exposed with deep ultraviolet radiation in the window/peak region, for example, at about 250 to 265 nm, and is thereafter developed with an aqueous alkaline solvent to provide a negative surface relief pattern.