PROCEDE POUR PRODUIRE UN GRADIENT DE DOPAGE DANS DU SILICIUM AMORPHE ET POUR FORMER UN CONTACT OHMIQUE SUR DU SILICIUM AMORPHE PHOTOCONDUCTEUR INTRINSEQUE

L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE PRODUCTION D'UN SEMI-CONDUCTEUR A BASE DE SILICIUM AMORPHE, PRESENTANT UN GRADIENT DE DOPAGE.CE PROCEDE CONSISTE A FAIRE DIFFUSER THERMOELECTRIQUEMENT UNE COUCHE 13 DE MATIERE DE DOPAGE POUVANT ETRE IONISEE, PAR EXEMPLE UNE COUCHE D'ANTIMOINE OU D'ALUMINIUM, DANS UNE COUCHE 14 DE SILICIUM AMORPHE. LE GRADIENT DE DOPAGE AINSI OBTENU ACCROIT LA LARGEUR DE LA ZONE D'APPAUVRISSEMENT TOUT EN ASSURANT SIMULTANEMENT UN BON CONTACT OHMIQUE ENTRE LE SILICIUM AMORPHE ET DES ELECTRODES CONDUCTRICES DU COURANT ELECTRIQUE.DOMAINE D'APPLICATION: DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES. An amorphous silicon semiconductor having a gradient doping profile is produced by thermo-electrically diffusing an ionizable deposit material such as antimony or aluminum, for example, into the amorphous silicon layer. Embodied in a photovoltaic device, the gradient doping profile increases the width of the depletion or barrier region and concurrently ensures an ohmic contact between amorphous silicon and current carrying electrodes.