PROCEDE DE DEPOT MULTIPLE PAR MASQUAGE

Procédé de dépôt multiple - une première configuration 18 est réalisée à l'aide d'un masque à résolution élevee dans une première couche de photoresist et chauffée à une température comprise en 100 degrés et 115 degrés pendant un temps de 18 h à 6 h pour être polymérisée et rendue insolubl...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	PETER J. DUKE, JERRY LEFF, LEO C. LICLICAN ET MARK V. POWELL
Format:	Patent
Sprache:	fre
Schlagworte:	APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS CINEMATOGRAPHY ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY ELECTROGRAPHY HOLOGRAPHY INDUCTANCES INFORMATION STORAGE MAGNETS MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS MATERIALS THEREFOR ORIGINALS THEREFOR PHOTOGRAPHY PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES,e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTORDEVICES PHYSICS PRINTED CIRCUITS SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES SEMICONDUCTOR DEVICES STATIC STORES TRANSFORMERS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Procédé de dépôt multiple - une première configuration 18 est réalisée à l'aide d'un masque à résolution élevee dans une première couche de photoresist et chauffée à une température comprise en 100 degrés et 115 degrés pendant un temps de 18 h à 6 h pour être polymérisée et rendue insoluble dans le photorésistant et le développeur. Une seconde configuration 24 est réalisée à l'aide d'un masque moins précis dans une seconde couche du même photorésistant - un dépôt d'une première métallurgie 26 peut alors être fait suivi après enlèvement de la couche 24 d'un second dépôt, la configuration 18 servant de masque. Celle-ci peut être ensuite enlevée par un solvant tel que l'acétone. Peut être utilisé pour la réalisation de la métallurgie sur les dispositifs microelectroniques à domaines en forme de bulles.