THYRISTOR A AMPLIFICATEUR DE DECLENCHEMENT ET A OUVERTURE COMMANDEE PAR LA GACHETTE

THYRISTOR A AMPLIFICATEUR DE DECLENCHEMENT ET A OUVERTURE COMMANDEE PAR LA GACHETTE

L'invention concerne un thyristor à amplificateur de déclenchement et à ouverture commandée par la gâchette. Une couche de conduction (CO) de type P+ est disposée dans l'épaisseur de la base P1 en formant une grille enterrée sous l'émetteur principal (Ni) et en pénétrant jusque sous u...

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1. Verfasser: ALBERT SENES
Format: Patent
Sprache:fre
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BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
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container_end_page
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creator ALBERT SENES
description L'invention concerne un thyristor à amplificateur de déclenchement et à ouverture commandée par la gâchette. Une couche de conduction (CO) de type P+ est disposée dans l'épaisseur de la base P1 en formant une grille enterrée sous l'émetteur principal (Ni) et en pénétrant jusque sous une couche N (N4) destinée à transmettre à la base les impulsions négatives appliquées à la gâchette (G) pour l'ouverture du thyristor. Application à la commutation électrique de puissance. The invention relates to an amplifying gate thyristor with gate turn-off (G.T.O.) for electric power switching. A P+ type conduction layer is disposed in the thickness of the base P1, forming a buried grate under the main emitter and penetrating down to an N layer designed to transmit to the base the negative pulses applied to the gate opening the thyristor.
format Patent
fullrecord <record><control><sourceid>epo_EVB</sourceid><recordid>TN_cdi_epo_espacenet_FR2377095A1</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><sourcerecordid>FR2377095A1</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-epo_espacenet_FR2377095A13</originalsourceid><addsrcrecordid>eNqNyk0KwjAQQOFuXIh6h7mAoBYpLod0YgL5KdNJwVUpEleihXp_zMIDCA_e5ltXvZgb214iAwL6zlltFQolhpZKylFQhjwFAZJiYhqIJTGBit5jaImgQwaHcMUiRWhbrR7Tc8m73zcVaBJl9nl-j3mZp3t-5c-o-VQ3zeFyxmP9B_kCkQ0vSg</addsrcrecordid><sourcetype>Open Access Repository</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>patent</recordtype></control><display><type>patent</type><title>THYRISTOR A AMPLIFICATEUR DE DECLENCHEMENT ET A OUVERTURE COMMANDEE PAR LA GACHETTE</title><source>esp@cenet</source><creator>ALBERT SENES</creator><creatorcontrib>ALBERT SENES</creatorcontrib><description>L'invention concerne un thyristor à amplificateur de déclenchement et à ouverture commandée par la gâchette. Une couche de conduction (CO) de type P+ est disposée dans l'épaisseur de la base P1 en formant une grille enterrée sous l'émetteur principal (Ni) et en pénétrant jusque sous une couche N (N4) destinée à transmettre à la base les impulsions négatives appliquées à la gâchette (G) pour l'ouverture du thyristor. Application à la commutation électrique de puissance. The invention relates to an amplifying gate thyristor with gate turn-off (G.T.O.) for electric power switching. A P+ type conduction layer is disposed in the thickness of the base P1, forming a buried grate under the main emitter and penetrating down to an N layer designed to transmit to the base the negative pulses applied to the gate opening the thyristor.</description><language>fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><creationdate>1978</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=19780804&amp;DB=EPODOC&amp;CC=FR&amp;NR=2377095A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&amp;date=19780804&amp;DB=EPODOC&amp;CC=FR&amp;NR=2377095A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>ALBERT SENES</creatorcontrib><title>THYRISTOR A AMPLIFICATEUR DE DECLENCHEMENT ET A OUVERTURE COMMANDEE PAR LA GACHETTE</title><description>L'invention concerne un thyristor à amplificateur de déclenchement et à ouverture commandée par la gâchette. Une couche de conduction (CO) de type P+ est disposée dans l'épaisseur de la base P1 en formant une grille enterrée sous l'émetteur principal (Ni) et en pénétrant jusque sous une couche N (N4) destinée à transmettre à la base les impulsions négatives appliquées à la gâchette (G) pour l'ouverture du thyristor. Application à la commutation électrique de puissance. The invention relates to an amplifying gate thyristor with gate turn-off (G.T.O.) for electric power switching. A P+ type conduction layer is disposed in the thickness of the base P1, forming a buried grate under the main emitter and penetrating down to an N layer designed to transmit to the base the negative pulses applied to the gate opening the thyristor.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>1978</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNyk0KwjAQQOFuXIh6h7mAoBYpLod0YgL5KdNJwVUpEleihXp_zMIDCA_e5ltXvZgb214iAwL6zlltFQolhpZKylFQhjwFAZJiYhqIJTGBit5jaImgQwaHcMUiRWhbrR7Tc8m73zcVaBJl9nl-j3mZp3t-5c-o-VQ3zeFyxmP9B_kCkQ0vSg</recordid><startdate>19780804</startdate><enddate>19780804</enddate><creator>ALBERT SENES</creator><scope>EVB</scope></search><sort><creationdate>19780804</creationdate><title>THYRISTOR A AMPLIFICATEUR DE DECLENCHEMENT ET A OUVERTURE COMMANDEE PAR LA GACHETTE</title><author>ALBERT SENES</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-epo_espacenet_FR2377095A13</frbrgroupid><rsrctype>patents</rsrctype><prefilter>patents</prefilter><language>fre</language><creationdate>1978</creationdate><topic>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</topic><topic>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</topic><topic>ELECTRICITY</topic><topic>SEMICONDUCTOR DEVICES</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>ALBERT SENES</creatorcontrib><collection>esp@cenet</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>ALBERT SENES</au><format>patent</format><genre>patent</genre><ristype>GEN</ristype><title>THYRISTOR A AMPLIFICATEUR DE DECLENCHEMENT ET A OUVERTURE COMMANDEE PAR LA GACHETTE</title><date>1978-08-04</date><risdate>1978</risdate><abstract>L'invention concerne un thyristor à amplificateur de déclenchement et à ouverture commandée par la gâchette. Une couche de conduction (CO) de type P+ est disposée dans l'épaisseur de la base P1 en formant une grille enterrée sous l'émetteur principal (Ni) et en pénétrant jusque sous une couche N (N4) destinée à transmettre à la base les impulsions négatives appliquées à la gâchette (G) pour l'ouverture du thyristor. Application à la commutation électrique de puissance. The invention relates to an amplifying gate thyristor with gate turn-off (G.T.O.) for electric power switching. A P+ type conduction layer is disposed in the thickness of the base P1, forming a buried grate under the main emitter and penetrating down to an N layer designed to transmit to the base the negative pulses applied to the gate opening the thyristor.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record>
fulltext fulltext_linktorsrc
identifier
ispartof
issn
language fre
recordid cdi_epo_espacenet_FR2377095A1
source esp@cenet
subjects BASIC ELECTRIC ELEMENTS
ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
ELECTRICITY
SEMICONDUCTOR DEVICES
title THYRISTOR A AMPLIFICATEUR DE DECLENCHEMENT ET A OUVERTURE COMMANDEE PAR LA GACHETTE
url https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-02-03T10%3A41%3A51IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-epo_EVB&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:patent&rft.genre=patent&rft.au=ALBERT%20SENES&rft.date=1978-08-04&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cepo_EVB%3EFR2377095A1%3C/epo_EVB%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rfr_iscdi=true