THYRISTOR A AMPLIFICATEUR DE DECLENCHEMENT ET A OUVERTURE COMMANDEE PAR LA GACHETTE

L'invention concerne un thyristor à amplificateur de déclenchement et à ouverture commandée par la gâchette. Une couche de conduction (CO) de type P+ est disposée dans l'épaisseur de la base P1 en formant une grille enterrée sous l'émetteur principal (Ni) et en pénétrant jusque sous une couche N (N4) destinée à transmettre à la base les impulsions négatives appliquées à la gâchette (G) pour l'ouverture du thyristor. Application à la commutation électrique de puissance. The invention relates to an amplifying gate thyristor with gate turn-off (G.T.O.) for electric power switching. A P+ type conduction layer is disposed in the thickness of the base P1, forming a buried grate under the main emitter and penetrating down to an N layer designed to transmit to the base the negative pulses applied to the gate opening the thyristor.