PROCEDE DE FORMATION D'UNE STRUCTURE CONDUCTRICE EN ALUMINIUM-CUIVRE-SILICIUM EXEMPTE D'IRREGULARITES
Procédé de formation d'une structure conductrice en aluminium-cuivre-silicium exempte d'irrégularités. Le procédé comprend les étapes suivantes : le dépôt d'une couche d'alliage d'aluminium-cuivre sur la surface d'un support; le décapage de la couche en aluminium-cuivre...
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| creator | GEORGE E. ALCORN, JAMES D. FEELEY ET JULIAN T. LYMAN |
| description | Procédé de formation d'une structure conductrice en aluminium-cuivre-silicium exempte d'irrégularités. Le procédé comprend les étapes suivantes : le dépôt d'une couche d'alliage d'aluminium-cuivre sur la surface d'un support; le décapage de la couche en aluminium-cuivre pour délimiter le conducteur désiré par procédé lithographique; le dépôt d'une couche de silicium sur la surface de ladite couche en aluminium-cuivre ; le chauffage des couches en silicium et en aluminium-cuivre pour faire pénétrer une partie de ladite couche de silicium dans ladite couche en aluminium-cuivre; l'élimination des portions de ladite couche en silicium qui n'ont pas réagi avec ladite couche d'aluminium-cuivre par un décapage ionique à sec Application à la fabrication des dispositifs intégrés à semi-conducteurs. |
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Le procédé comprend les étapes suivantes : le dépôt d'une couche d'alliage d'aluminium-cuivre sur la surface d'un support; le décapage de la couche en aluminium-cuivre pour délimiter le conducteur désiré par procédé lithographique; le dépôt d'une couche de silicium sur la surface de ladite couche en aluminium-cuivre ; le chauffage des couches en silicium et en aluminium-cuivre pour faire pénétrer une partie de ladite couche de silicium dans ladite couche en aluminium-cuivre; l'élimination des portions de ladite couche en silicium qui n'ont pas réagi avec ladite couche d'aluminium-cuivre par un décapage ionique à sec Application à la fabrication des dispositifs intégrés à semi-conducteurs.</description><language>fre</language><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS ; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ; ELECTRICITY ; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC ; GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS ; SEMICONDUCTOR DEVICES ; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC ; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS ; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ARTCOLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS</subject><creationdate>1978</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><linktohtml>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19780324&DB=EPODOC&CC=FR&NR=2363191A1$$EHTML$$P50$$Gepo$$Hfree_for_read</linktohtml><link.rule.ids>230,308,776,881,25542,76290</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/biblio?FT=D&date=19780324&DB=EPODOC&CC=FR&NR=2363191A1$$EView_record_in_European_Patent_Office$$FView_record_in_$$GEuropean_Patent_Office$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>GEORGE E. 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Le procédé comprend les étapes suivantes : le dépôt d'une couche d'alliage d'aluminium-cuivre sur la surface d'un support; le décapage de la couche en aluminium-cuivre pour délimiter le conducteur désiré par procédé lithographique; le dépôt d'une couche de silicium sur la surface de ladite couche en aluminium-cuivre ; le chauffage des couches en silicium et en aluminium-cuivre pour faire pénétrer une partie de ladite couche de silicium dans ladite couche en aluminium-cuivre; l'élimination des portions de ladite couche en silicium qui n'ont pas réagi avec ladite couche d'aluminium-cuivre par un décapage ionique à sec Application à la fabrication des dispositifs intégrés à semi-conducteurs.</description><subject>BASIC ELECTRIC ELEMENTS</subject><subject>ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR</subject><subject>ELECTRICITY</subject><subject>GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC</subject><subject>GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS</subject><subject>SEMICONDUCTOR DEVICES</subject><subject>TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC</subject><subject>TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS</subject><subject>TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ARTCOLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>patent</rsrctype><creationdate>1978</creationdate><recordtype>patent</recordtype><sourceid>EVB</sourceid><recordid>eNqNjLEKwkAQRNNYiPoP26VKcQYEy2Oz0YXcXdjcBrsQ5KxEA_H_8Qo_QBiYN_CYbZF6CUgNQU4bxNnIwUNTqicYoihGFQIMvskojATkwXbq2LO6CpVHoWrgjjFvoBu5Pua3kkXoop0VjjTsi81jfq7p8OtdAS1FvFZpeU9pXeZ7eqXP1MqxPtXmbKyp_1C-RNQ0zQ</recordid><startdate>19780324</startdate><enddate>19780324</enddate><creator>GEORGE E. 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