PROCEDE DE FORMATION D'UNE STRUCTURE CONDUCTRICE EN ALUMINIUM-CUIVRE-SILICIUM EXEMPTE D'IRREGULARITES

Procédé de formation d'une structure conductrice en aluminium-cuivre-silicium exempte d'irrégularités. Le procédé comprend les étapes suivantes : le dépôt d'une couche d'alliage d'aluminium-cuivre sur la surface d'un support; le décapage de la couche en aluminium-cuivre...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	GEORGE E. ALCORN, JAMES D. FEELEY ET JULIAN T. LYMAN
Format:	Patent
Sprache:	fre
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS SEMICONDUCTOR DEVICES TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ARTCOLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Procédé de formation d'une structure conductrice en aluminium-cuivre-silicium exempte d'irrégularités. Le procédé comprend les étapes suivantes : le dépôt d'une couche d'alliage d'aluminium-cuivre sur la surface d'un support; le décapage de la couche en aluminium-cuivre pour délimiter le conducteur désiré par procédé lithographique; le dépôt d'une couche de silicium sur la surface de ladite couche en aluminium-cuivre ; le chauffage des couches en silicium et en aluminium-cuivre pour faire pénétrer une partie de ladite couche de silicium dans ladite couche en aluminium-cuivre; l'élimination des portions de ladite couche en silicium qui n'ont pas réagi avec ladite couche d'aluminium-cuivre par un décapage ionique à sec Application à la fabrication des dispositifs intégrés à semi-conducteurs.