Method for producing a lithography coating film forming-composition

Provided are a method for producing a lithography coating film forming-composition having a reduced water content for use in the lithography step in the production of a semiconductor, and a method for washing an ion-exchange resin having a reduced water content used for producing the composition. Th...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Sassa, Suguru, Oya, Takumi, Yamaguchi, Hiroki
Format: Patent
Sprache:eng ; fin ; swe
Schlagworte:
Online-Zugang:Volltext bestellen
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Beschreibung
Zusammenfassung:Provided are a method for producing a lithography coating film forming-composition having a reduced water content for use in the lithography step in the production of a semiconductor, and a method for washing an ion-exchange resin having a reduced water content used for producing the composition. They are a method for producing an ion-exchange resin having a water content of 5% by weight or less, comprising the step of passing an organic solvent having a water content of 150 ppm or less through an ion-exchange resin precursor having a water content of 40% by weight or more, wherein a dehydration efficiency defined by the following equation is 5 or more: Dehydration efficiency = Dehydration rate (%)/[Weight of the organic solvent used per unit weight of the ion-exchange resin precursor (kg/kg) x Washing time (h)]; and a method for producing a lithography coating film forming-composition, comprising the step of subjecting a lithography coating film forming-composition precursor to ion-exchange treatment using the ion-exchange resin. Tarjotaan käyttöön litografiapäällystekalvon muodostavan koostumuksen, jonka vesipitoisuutta on pienennetty, valmistusmenetelmä käytettäväksi puolijohteen valmistuksen litografiavaiheessa ja koostumuksen valmistukseen käytettävän ioninvaihtohartsin, jonka vesipitoisuutta on pienennetty, pesumenetelmä. Ne ovat ioninvaihtohartsin, jonka vesipitoisuus on 5 painoprosenttia tai alle, valmistusmenetelmä, joka käsittää vaiheen, jossa johdetaan orgaanista liuotinta, jonka vesipitoisuus on 150 ppm tai alle, läpi ioninvaihtohartsin prekursorin, jonka vesipitoisuus on 40 painoprosenttia tai yli, jolloin seuraavan yhtälön määrittelemä vedenpoistoteho on 5 tai yli: Vedenpoistoteho = Vedenpoistomäärä (%) / [Käytetyn orgaanisen liuottimen paino ioninvaihtohartsiprekursorin painoyksikköä kohden (kg/kg) x Pesuaika (h)]; ja litografiapäällystekalvon muodostavan koostumuksen valmistusmenetelmä, joka käsittää vaiheen, jossa altistetaan litografiapäällystekalvon muodostavan koostumuksen prekursori ioninvaihtokäsittelylle ioninvaihtohartsia käyttäen.