Proceso de producción de rollos y membranas de espesor submicrométrico de Ga2O3 mediante implantación iónica
La presente invención se refiere a un procedimiento para la producción de rollos y membranas de espesor submicrométrico de Ga2O3, que comprende las etapas de: a) implantar iones en un monocristal semiconductor de Ga2O3, con un plano de clivaje paralelo a la superficie, a una temperatura inferior a 5...
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Format: | Patent |
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Zusammenfassung: | La presente invención se refiere a un procedimiento para la producción de rollos y membranas de espesor submicrométrico de Ga2O3, que comprende las etapas de: a) implantar iones en un monocristal semiconductor de Ga2O3, con un plano de clivaje paralelo a la superficie, a una temperatura inferior a 500°C, haciendo incidir un haz de iones en dirección no paralela a dicho plano de clivaje, con una energía en el rango de 10-4000 keV, un flujo en el rango de 1x1012-1x1014 iones/cm2.s, y una fluencia en el rango de 1x1013-1x1016 iones/cm2, formando al menos un rollo; y b) someter el al menos un rollo formado en la etapa a) a un tratamiento térmico a una temperatura igual o superior a 500°C. (Traducción automática con Google Translate, sin valor legal) |
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