Método para la estructuración de un sustrato

Método para la estructuración de un sustrato, en particular la estructuración por medio de grabado selectivo en la industria de sustratos de semiconductores e IC, en donde se llevan a cabo las siguientes etapas - proporciona un sustrato(2), - aplicar una capa semilla de titanio (4) al sustrato (2), - recubrir toda la superficie del sustrato (2) que tiene la capa semilla de titanio (4) con una capa fotoprotectora (6), - hacer la estructuración litográfica de la capa fotoprotectora (6) para exponer regiones de la capa semilla de titanio (6), - aplicar cobre de manera selectiva como pistas conductoras (10) en las regiones en las que se expone la capa semilla de titanio (4), - eliminar el fotoprotector estructurado (8), y - grabar la capa semilla de titanio (4) en las regiones previamente cubiertas por el fotoprotector estructurado (8), en donde se usa ácido fosfórico para grabar la capa semilla de titanio (4) y también tiene lugar una exposición con luz UV durante el grabado del titanio. A method for structuring a substrate is specified, in particular structuring by means of selective etching in the semiconductor and IC substrate industry, in which the following steps are carried out: providing a substrate, applying a titanium seed layer, full-area coating with a photoresist layer, lithographic structuring of the photoresist layer, in order to expose regions of the titanium seed layer, selectively depositing copper as conductor tracks in those areas in which the titanium seed layer is exposed, removing the structured photoresist, and etching the titanium seed layer in the areas previously covered by the structured photoresist, wherein phosphoric acid is used to etch the titanium seed layer and, in addition, exposure to UV light is carried out during the etching of the titanium.