Diodos emisores de luz y fotodetectores en forma de nanohilos/nanopirámides

Un dispositivo de diodo emisor de luz de viruta volante que comprende: una pluralidad de nanohilos (4) o nanopirámides que crecen sobre un sustrato grafítico (3), dichos nanohilos o nanopirámides tienen una unión p-n o p-i-n, un primer electrodo (10) en contacto eléctrico con dicho sustrato grafític...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: KIM, Dong Chul, FIMLAND, Bjørn Ove M, WEMAN, Helge, DHEERAJ, Dasa L
Format: Patent
Sprache:spa
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Beschreibung
Zusammenfassung:Un dispositivo de diodo emisor de luz de viruta volante que comprende: una pluralidad de nanohilos (4) o nanopirámides que crecen sobre un sustrato grafítico (3), dichos nanohilos o nanopirámides tienen una unión p-n o p-i-n, un primer electrodo (10) en contacto eléctrico con dicho sustrato grafítico; una capa reflectante de luz metálica en contacto con un segundo electrodo (6) que consiste en una capa de contacto superior de grafito en contacto con la parte superior de dichos nanohilos o nanopirámides, en donde dichos nanohilos o nanopirámides consisten en al menos un semiconductor compuesto del grupo III-V opcionalmente dopado; y en donde, en uso, cualquier luz se emite desde dicho dispositivo en una dirección sustancialmente opuesta a dicha capa reflectante de luz metálica. A light emitting diode device comprising: a plurality of nanowires or nanopyramids grown on a graphitic substrate, said nanowires or nanopyramids having a p-n or p-i-n junction, a first electrode in electrical contact with said graphitic substrate; a light reflective layer in contact with the top of at least a portion of said nanowires or nanopyramids, said light reflective layer optionally acting as a second electrode; optionally a second electrode in electrical contact with the top of at least a portion of said nanowires or nanopyramids, said second electrode being essential where said light reflective layer does not act as an electrode; wherein said nanowires or nanopyramids comprise at least one group III-V compound semiconductor; and wherein in use light is emitted from said device in a direction substantially opposite to said light reflective layer.