Célula solar múltiple

Célula solar múltiple (MS) que presenta una primera célula parcial (SC1) compuesta por un compuesto de InGaAs, presentando la primera célula parcial (SC1) una primera constante de red (ASC1), y una segunda célula parcial (SC2) con una segunda constante de red (ASC2), siendo la primera constante de red (ASC1) al menos 0,008 Å mayor que la segunda constante de red (ASC2), y presentando cada célula parcial (SC1, SC2) una transición pn, y un tampón metamórfico (MP1), estando configurado el tampón (MP1) entre la primera célula parcial (SC1) y la segunda célula parcial (SC2) y presentando el tampón (MP1) una sucesión de una primera capa con una primera constante de red (MPA1), una segunda capa con una segunda constante de red (MPA2) y al menos una tercera capa con una tercera constante de red (MPA3) y aumentando las constantes de red (MPA1, MPA2, MPA3) de la sucesión en la dirección hacia la primera célula parcial (SC1) de capa a capa y siendo las constantes de red (MPA1, MPA2, MPA3) de las capas del tampón mayores que la segunda constante de red (ASC2), presentando una cuarta capa del tampón metamórfico una cuarta constante de red (MPA4) y siendo la cuarta constante de red (MPA4) mayor que la primera constante de red (ASC1), y estando configuradas entre el tampón metamórfico (MP1) y la primera célula parcial (SC1) un número N de capas de compensación (KOM1, KOM2, ... KOMN) para la compensación de la tensión residual del tampón metamórfico (MP1) y siendo las constantes de red (A1, A2, ... AN) de las respectivas capas de compensación (KOM1, KOM2, ... KOMN) una magnitud de ΔAN >0,0008 Å menores que la primera constante de red (ASC1), presentando las capas de compensación (KOM1, KOM2, ... KOMN) en cada caso una tensión de tracción, y presentando las capas de compensación (KOM1, KOM2, ... KOMN) un contenido en indio mayor del 1 %, y seleccionándose los grosores (KOMD1, KOMD2, ... KOMDN) del número N de las capas de compensación (KOM1, KOM2, ... KOMN) de tal manera que se cumple:**Fórmula** A multi-junction solar cell having a first subcell made of an InGaAs compound. The first subcell has a first lattice constant and A second subcell has a second lattice constant. The first lattice constant is at least 0.008 Å greater than the second lattice constant. A metamorphic buffer is formed between the first subcell and the second subcell and has a sequence of at least three layers and a lattice constant increases from layer to layer in the sequence in the direction toward t