Crisol para la solidificación direccional de silicio multicristalino o casi-monocristalino por recogida de gérmenes

Crisol para la solidificación direccional de un lingote de silicio, comprendiendo dicho crisol un molde (1) destinado a recibir silicio en fusión, y un elemento amovible (5) que forma barrera de difusión con las impurezas metálicas y dispuesto en el fondo (4) de la cara interna de dicho molde, estando formado el elemento amovible en todo o en parte por una capa barrera formada por al menos un material seleccionado del grupo constituido por la sílice SiO2, el nitruro de silicio Si3N4, el carburo de silicio SiC, el carbonitruro de silicio, el oxinitruro de silicio, el grafito y sus mezclas y que presenta una pureza de al menos un 99,95% en masa, presentando la capa barrera un grosor propicio para la retención de las impurezas susceptibles de difundirse fuera del fondo (4) durante la solidificación direccional y el enfriamiento del silicio, estando al cavidad del molde recubierta de un revestimiento anti-adherente (7) ventajosamente de nitruro de silicio de la cual al menos una parte se intercala entre el elemento amovible (5) y el fondo de la cavidad. The present invention relates to a crucible for directional solidification of a silicon ingot, said crucible comprising a mould intended to receive the molten silicon, and a removable element forming a barrier to the diffusion of metallic impurities and arranged on the base of the inner face of said mould, the removable element being totally or partially formed of a barrier layer formed by at least one material selected from the group comprising silica SiO2, silicon nitride Si3N4, silicon carbide SiC, silicon carbonitride, silicon oxynitride, graphite and mixtures thereof, and having a purity of at least 99.95 % by mass, the barrier layer having a thickness conducive to the retention of impurities capable of diffusing out of the base during the directional solidification and cooling of the silicon.