Photovoltaic cell, photovoltaic panel and photovoltaic cell manufacturing method (Machine-translation by Google Translate, not legally binding)

Photovoltaic cell, photovoltaic panel and photovoltaic cell manufacturing method. Photovoltaic cell (ci) comprising at least one sub-cell of a first semiconductor (1) and a sub-cell of a second semiconductor (2) connected by three electrodes (t1, t2, t3 ). The second semiconductor is typically silicon, while the first semiconductor is a material with a larger forbidden band deposited closer to an electromagnetic radiation incidence surface. The first electrode (t1) is located on the anterior side of the photovoltaic cell (ci), while the second electrode (t2) and the third electrode (t3) are on the back face of photovoltaic said (ci). Both the second electrode (t2) and the third electrode (t3) are connected to the second semiconductor (2). The regions on both sides of the contact zone between the first semiconductor and the second semiconductor have the same type of majority carriers. This achieves a photovoltaic cell (ci) with a high conversion efficiency, capable of integrating into two-terminal devices. (Machine-translation by Google Translate, not legally binding) Célula fotovoltaica, panel fotovoltaico y método de fabricación de células fotovoltaicas. Célula fotovoltaica (Ci) que comprende al menos una sub-célula de un primer semiconductor (1) y una sub-célula de un segundo semiconductor (2) conectados mediante tres electrodos (T1, T2, T3). El segundo semiconductor es típicamente silicio, mientras que el primer semiconductor es un material de con mayor banda prohibida depositado más cercano a una superficie de incidencia de radiación electromagnética. El primer electrodo (T1) se encuentra en la cara anterior de la célula fotovoltaica (Ci), mientras que el segundo electrodo (T2) y el tercer electrodo (T3) se encuentran en la cara posterior de dicha fotovoltaica (Ci). Tanto el segundo electrodo (T2) como el tercer electrodo (T3) están conectados al segundo semiconductor (2). Las regiones a ambos lados de la zona de contacto entre el primer semiconductor y el segundo semiconductor presentan un mismo tipo de portadores mayoritarios. Se consigue así una célula fotovoltaica (Ci) con una elevada eficiencia de conversión, capaz de integrarse en dispositivos de dos terminales.