Procedimiento para evitar la formación de deposiciones sobre una mirilla en la producción de silicio policristalino

Un procedimiento para la producción de silicio policristalino, que comprende introducir un gas de reacción que contiene un componente con un contenido de silicio e hidrógeno en un reactor (1) que contiene por lo menos una barra filamentosa calentada, sobre la que se deposita silicio policristalino, comprendiendo el reactor (1) por lo menos una mirilla (2) en forma de tubo óptico, que con un extremo situado por el lado del reactor está fijada a un orificio en la pared del reactor y en el otro extremo tiene una superficie de vidrio, aportándose un gas de barrido a través de unos taladros (4, 5) dispuestos en filas de taladros (n, k) en el tubo óptico de la mirilla durante la deposición, caracterizado por que una corriente de gas de barrido M1 discurre en una distancia axial S1_n desde la superficie de vidrio de la mirilla (2) y esencialmente de modo paralelo a la superficie de vidrio, siendo una relación D/S1_n entre un diámetro D de tubo óptico y la distancia axial S1_n de una fila de taladros (n), que comprende los taladros (4) que discurren de modo paralelo a la superficie de vidrio, desde la superficie de vidrio mayor que 1 y menor que 40, y estando distanciada de la corriente de gas de barrido M1, en dirección al extremo de la mirilla (2) situado por el lado del reactor, por lo menos otra corriente de gas de barrido M2 discurre inclinada en dirección al extremo de la mirilla (2) situado por el lado del reactor. Deposition on a sightglass in a reactor for CVD deposition of silicon is reduced by conducting a first purge gas stream substantially parallel to the reactor end surface of the sightglass, and conducting a second purge gas stream within the sightglass tube at an angle from the sightglass surface toward the interior of the reactor.