Aditivo de electrogalvanoplastia para la deposición de una aleación de un metal del grupo IB/binaria o ternaria del grupo IB-grupo IIIA/ternaria, cuaternaria o quinaria del grupo IB, el grupo IIIA-grupo VIA

Una composición metálica de galvanoplastia que comprende una especie de galvanoplastia del grupo IB y una especie de galvanoplastia del grupo IIIA caracterizada por comprender, además, un aditivo de fórmula general (A):**Fórmula** en donde X1 y X2 pueden ser iguales o diferentes y se seleccionan del grupo constituido por arileno y heteroarileno; FG1 y FG2 pueden ser iguales o diferentes o se seleccionan del grupo constituido por -S(O)2OH, - S(O)OH, -COOH, -P(O)2OH y grupos amino primarios, secundarios y terciarios y sales y ésteres de los mismos; R se selecciona del grupo constituido por alquileno, arileno o heteroarileno y n y m son números enteros entre 1 y 5. The invention relates to electroplating additives for the deposition of a group (11) (lB) metal/binary or ternary group (11) (IB)-group (13) (lIlA)/ternary, quaternary or pentanary group (11) (lB)-group (13) (lIlA)-group (16) (VIA) alloy on substrates useful for thin film solar cells. The additives have the general formula (A): wherein X 1 and X 2 may be the same or different and are selected from the group consisting of arylene and heteroarylene; FG 1 and FG 2 may be the same or different or are selected from the group consisting of -S(O) 2 OH, -S(O)OH, -COOH, -P(O) 2 OH and primary, secondary and tertiary amino groups and salts and esters thereof; R is selected from the group consisting of alkylene, arylene or heteroarylene and n and m are integers from 1 to 5.