Sustrato semiconductor, procedimiento de formación de electrodo, y procedimiento de fabricación de célula solar

Sustrato semiconductor (1) que presenta un electrodo (12) formado sobre el mismo, incluyendo el electrodo por lo menos plata y frita de vidrio, comprendiendo el electrodo: una estructura de múltiples capas constituida por una primera capa de electrodo (13) unida directamente al sustrato semiconductor (1), y una capa de electrodo superior (14) formada por al menos una capa y dispuesta sobre la primera capa de electrodo; en el que la capa de electrodo superior (14) está formada mediante la cocción de una pasta conductora que presenta un contenido de plata total de 75% en peso o más y 95% en peso o menos, siendo el contenido de partículas de plata que presentan un diámetro medio de partícula de 4 mm o superior y 8 mm o inferior con respecto al contenido de plata total en la capa de electrodo superior que aquel en la primera capa de electrodo, y siendo el contenido de partículas de plata que presentan un diámetro medio de partícula de 0,5 μm o superior e inferior a 4 mm con respecto al contenido de plata total en la pasta conductora para la primera capa de electrodo de 80% en peso o más. The present invention is directed to a semiconductor substrate having an electrode formed thereon, the electrode including at least silver and glass frit, the electrode including: a multi-layered structure constituted of a first electrode layer joined directly to the semiconductor substrate, and an upper electrode layer formed of at least one layer and disposed on the first electrode layer; wherein the upper electrode layer is formed by firing a conductive paste having a total silver content of 75 wt% or more and 95 wt% or less, the content of silver particles having an average particle diameter of 4 µm or greater and 8 µm or smaller with respect to the total silver content in the upper electrode layer being higher than that in the first electrode layer. As a consequence, it is possible to form the electrode, which has the high aspect ratio and hardly suffers an inconvenience such as a break, on the semiconductor substrate by a simple method.