Nano- and micro-structuring of silicon with laser using a laser-induced plasma for the treatment of the laser beam of processing (Machine-translation by Google Translate, not legally binding)

Nano- and micro-structuring of silicon with laser using a laser-induced plasma for processing the laser beam. The method object of the invention is characterized in that it comprises an ablation stage, in which a first pulsed laser ablation beam is incised, with a fluence in the range 10-100 jcm-2, on the surface of a metallic sample generating a laser-induced plasma; and a processing step, in which a second pulsed, processing laser beam is incised, with a creep of 0.3 jcm-2, retarded with respect to the ablation laser beam, between 0.1 and 1 microsecond, on a silicon surface next to the laser-induced plasma so that said second laser beam crosses said plasma perpendicularly with respect to the axis of expansion of the plasma. (Machine-translation by Google Translate, not legally binding) Nano- y micro-estructuración de silicio con láser usando un plasma inducido por láser para el tratamiento del haz láser de procesado. El método objeto de la invención se caracteriza porque comprende una etapa de ablación, en la que se hace incidir un primer haz de láser pulsado, de ablación, con un fluencia en el rango 10 - 100 Jcm-2, sobre la superficie de una muestra metálica generando un plasma inducido por láser; y una etapa de procesamiento, en la que se hace incidir un segundo haz de láser pulsado, de procesado, con una fluencia de 0,3 Jcm-2, retardado respecto al haz de láser de ablación, entre 0,1 y 1 microsegundos, sobre una superficie de silicio próxima al plasma inducido por láser de forma que dicho segundo haz láser atraviese dicho plasma perpendicularmente respecto al eje de expansión del plasma.