Procedimiento de depósito y de tratamiento de una capa delgada a base de plata

The process for treating continuous electroconductive thin layer deposited on a first face of a substrate such as silico-sodo-calcic glass, comprises altering each point of the thin layer to a temperature of >= 300[deg] C for 0.5 seconds, and increasing a crystallization rate of the thin layer to...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: KHARCHENKO, Andriy, GY, René, BILLERT, Ulrich, NADAUD, Nicolas
Format: Patent
Sprache:spa
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