Procedimiento para la fabricación de capas cerámicas finas y compactas

Procedimiento para la fabricación de una capa cerámica fina y compacta sobre un sustrato, en el que la capa esaplicada con la ayuda de la inyección de plasma atmosférico, con las etapas:- el sustrato es precalentado a una temperatura, que corresponde al menos a una cuarta parte de latemperatura de fundición de la cerámica a aplicar en Kelvin,- como aditivo de inyección se utiliza un polvo cerámico o una mezcla de polvo cerámico con valores d50inferiores a 50 μm,-se ajusta una distancia de inyección por debajo de 150 mm, de manera que se ajustan velocidades de laspartículas de más de 200 m/s durante la incidencia sobre el sustrato y las partículas presentan durante laincidencia sobre la superficie del sustrato una temperatura, que está al menos 5 % por encima de latemperatura de fundición de la cerámica a aplicar en Kelvin,- la velocidad de pasada del quemador de plasma se ajusta entre 50 y 500 mm/s y la cantidad del aditivo deinyección se selecciona para que se ajuste durante una única pasada un espesor de capa de manos de 100μm,de manera que a través de una sola pasada se genera una capa cerámica hermética al gas sobre el sustrato, quepresenta una tasa de fuga inferior a 10-1 mbares L/(cm2 s). The invention relates to a method for the production of a thin dense ceramic layer on a substrate by means of atmospheric plasma spraying, whereby the following steps are carried out: a) the substrate is pre-heated to a temperature corresponding to at least a quarter of the melting point of the ceramic for application in Kelvin, b) a ceramic powder or a ceramic powder mixture with d50-values of less than 50 gm is used as spray adjunct, c) particle speeds at incidence on the substrate of more than 200 m/s are set, d) particle temperatures are set such that on incidence on the substrate surface the particles have a temperature at least 5% above the melting point of the ceramic for application in Kelvin, e) the amount of the spray adjunct and passage speed of the plasma burner are set such that on a single pass of the substrate a layer thickness of less than 100 ?m is achieved, f) a thin and also gas-tight layer is generated on the substrate with a single pass of the substrate which has a leakage rate of less than 10-1 mbar L/(cm2 s).