Componente de semiconductor de potencia con capa amortiguadora

Un componente de semiconductor con por lo menos una transición desde un primer dopado hasta un segundo dopado, una transición PN, con una secuencia de capas de una primera zona (10), encarada hacia una primera superficie principal (H1), con un primer dopado, una segunda zona (20) subsiguiente con un...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	KOENIG, BERNHARD
Format:	Patent
Sprache:	spa
Schlagworte:	BASIC ELECTRIC ELEMENTS ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY SEMICONDUCTOR DEVICES
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