Componente de semiconductor de potencia con capa amortiguadora

Un componente de semiconductor con por lo menos una transición desde un primer dopado hasta un segundo dopado, una transición PN, con una secuencia de capas de una primera zona (10), encarada hacia una primera superficie principal (H1), con un primer dopado, una segunda zona (20) subsiguiente con una concentración homogénea baja de un segundo dopado, una capa amortiguadora subsiguiente, la cual es la tercera zona (30), con un segundo dopado y una cuarta zona (40) subsiguiente, encarada hacia la segunda superficie principal (H2) con una alta concentración del segundo dopado, en el que la concentración del segundo dopado de la capa amortiguadora (30) en su primera interfaz (G1) con la segunda zona (20) es mayor que en la segunda interfaz (G2) con la cuarta zona (40), y la concentración (C1, C2) de la capa amortiguadora (30) cae desde su primera interfaz (G1) hasta su segunda interfaz (G2) exponencialmente, linealmente o de una manera pulsatoria, en el que la caída de la concentración de una manera pulsatoria tiene un máximo y un mínimo locales cuyos valores disminuyen uniformemente. The element has a zone (40) with a higher concentration of doping, and turned towards a main surface (H2). Concentration (C1, C2) of the doping of a buffer layer (30) on a boundary surface (G1) to a zone (20) is higher than on another boundary surface (G2) to the zone (40). The concentration of the buffer layer drops out by the boundary surface (G1) to the boundary surface (G2) in an exponential, linear or vibrant manner. The buffer layer is produced by ion implantation. An independent claim is also included for a method for manufacturing a semiconductor element.