PROCEDIMIENTO PARA LA RECRISTALIZACION DE ESTRUCTURAS DE CAPAS MEDIANTE FUSION POR ZONAS Y SU USO

Procedimiento para la recristalización de estructuras de capas mediante fusión por zonas, en el que con al menos dos fuentes térmicas se estiran zonas de fusión generadas con forma de líneas por la capa mediante un movimiento relativo de las fuentes térmicas con respecto a la capa en dirección perpendicular con respecto a las zonas de fusión con forma de líneas, estirándose las zonas de fusión simultáneamente por toda la capa con solapamiento por áreas de las zonas de fusión con zonas ya recristalizadas, de tal forma que se garantiza una recristalización sin huecos de la capa, caracterizado porque a) en una primera fase (fase de fusión), las al menos dos zonas de fusión se estiran en dirección perpendicular con respecto a las zonas de fusión con forma de líneas simultáneamente a lo largo de un primer tramo d + a y con una velocidad que posibilita una alta calidad de cristal por la capa, representando d la separación entre dos fuentes térmicas adyacentes y a < d y b) la capa en una segunda fase (fase de transporte) se mueve a lo largo de un segundo tramo (n-1) d - b que sigue al primer tramo en dirección perpendicular con respecto a las zonas de fusión con forma de líneas y con una velocidad aumentada con respecto a la primera fase, a la que la capa no se funde, representando n la cantidad de las fuentes térmicas dispuestas de forma sucesiva y eligiéndose b de tal forma que se produce un solapamiento de las zonas de fusión con las zonas ya recristalizadas, repitiéndose las etapas a) y b) hasta la recristalización sin huecos de la capa. The invention relates to a method for re-crystallization of layer structures by means of zone melting, in which, as a result of convenient arrangement of a plurality of heat sources, a significant acceleration of the zone melting method can be achieved. The method is based on the fact that a continuous recrystallisation of the layer is ensured as a result of overlaps being produced. According to the invention, a device is likewise provided with which the method according to the invention can be achieved. The method according to the invention is used in particular in the production of crystalline silicon thin layer solar cells or for example in SOI technology. However the application likewise relates also in general to the processing of metals, plastic materials or adhesives and here in particular to the production of thin layers.