REVESTIMIENTO DIELECTRICO MEJORADO PARA SUPERFICIES EXPUESTAS A AGUA A ALTA TEMPERATURA

Un procedimiento para reducir la deposición de partículas cargadas en una superficie conductora (100a, 100b) que define una parte húmeda de un paso de flujo de refrigerante en un reactor nuclear, que comprende las etapas de: preparación de la superficie conductora; formación de una capa dieléctrica base (102) mediante la exposición de la superficie conductora a un primer compuesto precursor organometálico bajo condiciones suficientes para descomponer el componente precursor y formar una capa dieléctrica base sustancialmente continua en la superficie conductora; caracterizado por: la formación de una capa dieléctrica externa (104) mediante la exposición de una superficie conductora a un segundo compuesto precursor organometálico diferente de dicho primer compuesto precursor organometálico bajo condiciones suficientes para descomponer el compuesto precursor y formar una capa dieléctrica externa sustancialmente continua en la capa dieléctrica base, siendo dicha capa dieléctrica externa diferente de dicha capa dieléctrica base; en el que la formación de una capa dieléctrica base comprende el mantenimiento de la superficie conductora a una primera temperatura de deposición entre 400ºC y 500ºC y una primera presión de deposición de no más de aproximadamente 2,67 Pa; y la formación de la capa dieléctrica externa (104) comprende el mantenimiento de la capa dieléctrica base a una segunda temperatura de deposición de entre 400ºC y 500ºC, y una segunda presión de deposición de no más de aproximadamente 2,67 Pa; y en el que la capa dieléctrica base (102) consiste esencialmente de Ta2O5 y tiene un grosor de capa base de entre 0,1 y 2 μm; y la capa dieléctrica externa (102) consiste esencialmente de TiO2 y tiene un grosor de capa externa de entre 0,5 μm y 3 μm.