MODULO SEMICONDUCTOR DE POTENCIA CON ELEMENTO CONDUCTOR

Módulo semiconductor de potencia (1) asistente como mínimo de una caja envolvente (3), unos elementos de conexión de carga (4) que conducen hacia el exterior, una cantidad de substratos o secciones de substrato (5) configuradas de forma similar eléctricamente aislantes dispuestas dentro de la caja envolvente (3), para lo cual estas consisten en un elemento de material aislante (54) y sobre la primera superficie principal colindante con la parte interior del módulo semiconductor de potencia encuentran una cantidad de bandas de unión (52 a/b/c/) metálicas aisladas entre si, de distinta polaridad, sobre estas bandas de unión se disponen en cada substrato o sección de substrato como mínimo un componente semiconductor de potencia (80) con elementos de unión para su conexión por conmutación, para lo cual los substratos (5) o secciones de substratos análogos se montan en serie y encima se disponen las bandas de unión (52 a/b/c/) a lo largo del eje longitudinal de la serie, para lo cual las bandas de unión (52 a/b/) de polaridad positiva y negativa se han montado alternativamente en los substratos o secciones de substrato que se suceden unas a las otras y como mínimo los elementos conductores (60,70) unen las bandas de unión (52 a/b/c/) siempre con la misma polaridad del substrato o de la sección de substrato. The module has a wire unit (60) arranged above and at a distance from substrates or substrate sections. The wire unit is connected with a charge terminal (40) and a junction line of substrates or substrate sections of same polarity, where the substrates are not adjacent to the charge terminal. Multiple wire units are arranged closely adjacent to one another. The wire unit is designed as a metal shaped part or insulator body.