AISLAMIENTO DE LA PARED LATERAL DE UNA ENTALLADURA UTILIZANDO LA OXIDACION DE SILICIO POLICRISTALINO

SE DESCUBRE UN PROCESO PARA HACER CRECER UN DIOXIDO DE SILICIO RESISTENTE AL ACIDO SOBRE UNA SUPERFICIE MEDIANTE LA FORMACION DE UNA CAPA DE POLISILICIO Y EXPONIENDO ESTE POLISILICIO A LA OXIDACION TERMICA, PARA CONVERTIR COMPLETAMENTE EL POLISILICIO EN OXIDO DE (POLI)SILICIO. TAMBIEN SE PRESENTA UN METODO PARA FORMAR UNA ACANALADURA AISLANTE EN UN SUSTRATO SEMICONDUCTOR QUE TIENE UNA PARED LATERAL CON ALTA INTEGRACION DE OXIDO. DESPUES DE FORMAR LA ACANALADURA (58) EN LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO MEDIANTE EL USO DE UNA MASCARA ADECUADA, UN OXIDO TERMICO SIMPLE O UN OXIDO TERMICO DUAL Y UN LINEAL NITRIDO (CVD) (64) SE FORMA SOBRE TODAS LAS SUPERFICIES DE ACANALADURA. UNA CAPA DE CONFORMACION DE POLISILICIO DESENGRASADO (66) SE FORMA ENTONCES SOBRE EL FORRO. MEDIANTE LA EXPOSICION A LA OXIDACION TERMICA, EL POLISILICIO SE CONVIERTE COMPLETAMENTE EN UNA CAPA (68) DE OXIDO DE (POLI)SILICIO QUE TIENE UN GROSOR DE ALREDEDOR DE DOS VECES Y MEDIA EL DE LA CAPA DE POLISILICIO. EL OXIDO DE (POLI)SILICIO RESULTANTE TIENE LA CONFORMACION DE UN OXIDO (CVD) Y ALTA RESISTENCIA AL ATAQUE DEL OXIDO QUE SE FORMA TERMICAMENTE. ALTERNATIVAMENTE, ANTES DE FORMAR EL OXIDO (POLI)SILICIO, LA CAPA DE POLISILICIO SE QUITA DEL FONDO DE LA ACANALADURA Y DE LA SUPERFICIE DEL SUSTRATO PARA LIMITAR LA EXPANSION DE VOLUMEN DEL POLISILICIO A UNA DIRECCION SIMPLE PERPENDICULAR A LAS PAREDES DE LA ACANALADURA. LA ACANALADURA SE LLENA CON OXIDO SILICIO EPITAXIAL, POLISILICIO, POLIMEROS O METAL SEGUN SE DESEE. PARA ALCANZAR EL CONTACTO DEL SUSTRATO A TRAVES DE LA ACANALADURA, EL FONDO SE ABRE MEDIANTE RIE. EL POLISILICIO SE DEPOSITA IN SITU A UNA ALTA TEMPERATURA PARA LLENAR LA ACANALADURA Y SIMULTANEAMENTE PARA DIFUNDIR EL DOPANTE DEL POLISILICIO LLENADO DENTRO DEL SUSTRATO INFERIOR PARA FORMAR UN CIERRE DE CANALL.