CIRCUIT FOR ADJUSTING MEMRISTOR

Die Erfindung betrifft einen Schaltkreis mit einem Analog-Digital-Wandler (1), einem Operationsverstärker (2), einem Memristor (3) und einem Transistor (4), wobei der Ausgang des Analog-Digital-Wandlers (1) mit dem einen ersten Eingang des Operationsverstärkers (2) elektrisch leitend verbunden ist u...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	GREWING, Christian
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	INFORMATION STORAGE PHYSICS STATIC STORES
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Beschreibung
Zusammenfassung:	Die Erfindung betrifft einen Schaltkreis mit einem Analog-Digital-Wandler (1), einem Operationsverstärker (2), einem Memristor (3) und einem Transistor (4), wobei der Ausgang des Analog-Digital-Wandlers (1) mit dem einen ersten Eingang des Operationsverstärkers (2) elektrisch leitend verbunden ist und der Drain-Anschluss des Transistors (4) sowie ein erster elektrischer Anschluss des Memristors (4) mit dem anderen zweiten Eingang des Operationsverstärkers (2) elektrisch leitend verbunden sind und wobei der Ausgang des Operationsverstärkers (2) mit dem Gate-Anschluss des Transistors (4) elektrisch leitend verbunden ist.Durch den Schaltkreis kann eine gewünschte Spannung sehr genau an den Memristor (3) angelegt werden. Der Schaltkreis kann für Rechenoperationen genutzt werden.