HIGH-PERFORMANCE III-NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE, INTERMEDIATE PRODUCT, AND METHOD FOR MANUFACTURING HIGH-PERFORMANCE DEVICE

Die Erfindung betrifft ein Hochleistungsbauelement (1) auf Basis von III-Nitrid-Verbindungshalbleitern, umfassend zumindest ein erstes, vertikales Transistor-Bauelement (2) und zumindest ein zweites Bauelement (10) mit einer lateralen Heterostruktur (11), wobei die laterale Heterostruktur (11) des zweiten Bauelements (10) auf einem Teilbereich (4) einer Oberfläche (3) des ersten, vertikalen Bauelementes (2) monolithisch mittels selektivem epitaktischem Überwachsens ausgebildet ist, wobei das zweite Bauelement (10) zumindest einen Transistor und optional weitere aktive und/oder passive Bauelemente umfasst, und wobei sowohl das erste Transistor-Bauelement (2) als auch das zweite Bauele-ment (10) auf Basis von III-Nitrid-Verbindungshalbleitern gebildet sind. Weiter betrifft die Erfindung ein Zwischenerzeugnis (16) zur Herstellung eines Hochleistungsbauelementes (1) sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Hochleistungsbauelementes (1) auf Basis von III-Nitrid-Verbindungshalbleitern. A high-power component (1) based on III nitride compound semiconductors, having at least one first, vertical transistor component (2) and at least one second component (10) having a lateral heterostructure (11). The lateral heterostructure (11) of the second component (10) is formed monolithically by selective epitaxial overgrowth on a subregion (4) of a surface (3) of the first, vertical component (2). The second component (10) has at least one transistor and optionally further active and/or passive components. An intermediate product (16) for the production of a high-power component (1) and to a process for the production of a high-power component (1) based on III nitride compound semiconductors are also provided.