APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCING 3N OR HIGHER PURITY SILICON BY PURIFYING 2N PURITY SILICON
La présente invention concerne un appareil pour la production de silicium de pureté 3N par purification d'un silicium de pureté 2N, la purification incluant les étapes d'injection d'air (E1), de filtrage (E2) et de solidification (E3) pour obtenir le silicium de pureté 3N à l'éta...
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| Hauptverfasser: | , , |
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| Format: | Patent |
| Sprache: | eng ; fre ; ger |
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| Zusammenfassung: | La présente invention concerne un appareil pour la production de silicium de pureté 3N par purification d'un silicium de pureté 2N, la purification incluant les étapes d'injection d'air (E1), de filtrage (E2) et de solidification (E3) pour obtenir le silicium de pureté 3N à l'état solide.
The present invention relates to an apparatus for producing 3N purity silicon by purification of 2N purity silicon, the purification including the steps of air injection (E1), filtering (E2) and solidification (E3) to obtain 3N purity silicon in the solid state. |
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