METHOD FOR MANUFACTURING MICRO-LEDS AND RESULTING STRUCTURE WITH MICRO-LEDS

Procédé de fabrication de micro-LEDs comprenant les étapes suivantes :i) fournir un empilement comprenant au moins une couche de GaN fortement dopé n (104), une couche de GaN dopé n (105), des puits quantiques (106), une couche de GaN dopé p (107) et une première électrode (108),ii) porosifier la couche de GaN fortement dopé (104), pour obtenir une couche de GaN porosifié (104'),iii) former des mésas dans l'empilement,iv) recouvrir la couche de GaN porosifié (104') par une deuxième électrode (301) ou par une couche d'encapsulation (302), la deuxième électrode (301) ou la couche d'encapsulation (302) étant en contact direct avec la couche de GaN porosifié (104').L'étape ii) est réalisée de manière à ce que l'indice optique de la couche de GaN porosifié (104') ne varie pas de plus de 10% par rapport à l'indice optique de la deuxième électrode (301) et/ou par rapport à l'indice optique de la couche d'encapsulation (302). Method for manufacturing micro-LEDs comprising the following steps:i) providing a stack comprising at least one strongly n-doped GaN layer (104), an n-doped GaN layer (105), quantum wells (106) and a p-doped GaN layer (107),ii) porosifying the GaN layer (104), to obtain a porosified GaN layer (104′),iii) forming mesas in the stack,iv) covering the porosified GaN layer (104′) with a second electrode (301) or with an encapsulation layer (302), the second electrode (301) or the encapsulation layer (302) being in direct contact with the porosified GaN layer (104′).step ii) being carried out so that the optical index of the porosified GaN layer (104′) does not vary by more than 10% with respect to the optical index of the second electrode (301) and/or with respect to the optical index of the encapsulation layer (302).