SRAM WITH PUF-DEDICATED SECTOR-STANDBY

Dispositif de mémoire statique à accès aléatoire comprenant une matrice mémoire (M) dotée de cellules mémoires SRAM chacune desdites cellules dudit ensemble comprenant un premier noeud (NT) de stockage et un deuxième noeud (NF) de stockage, le dispositif étant doté en outre d'un circuit de commande (160, 180, 120, T1) desdites cellules configuré pour, après une mise sous tension de la matrice (M), mettre la matrice dans un premier mode de fonctionnement dans lequel un premier ensemble (E1) de cellules situé dans une première zone (Z1) de la matrice dans un état dit « métastable » pour lequel le premier noeud (NT) de stockage et ledit deuxième noeud (NF) de stockage sont mis à des potentiels égaux ou sensiblement égaux tandis qu'un deuxième ensemble (E2) de cellules situé dans une deuxième zone (Z2) de la matrice (M) distincte de la première zone (Z1) ont leurs premier noeud (NT) et deuxième noeud (NT) respectifs à des potentiels respectifs différents et correspondant à un état logique donné entre un état bas et un état haut et à un état logique complémentaire dudit état donné. A static random access memory device comprising a memory array provided with SRAM memory cells, each of said cells in said array comprising a first storage node and a second storage node, the device further being provided with a control circuit for controlling said cells configured to, after powering up the array, place the array into a first operating mode in which a first set of cells located in a first zone of the array into a so-called "metastable" state for which the first storage node and said second storage node are placed to equal or substantially equal potentials while a second set of cells located in a second zone of the array distinct from the first zone have their respective first node and second node to respective different potentials and corresponding to a given logic state between a low state and a high state and to a logic state complementary to said given state.