METHOD FOR TESTING THE RESISTANCE OF MONOCRYSTALLINE SILICON WAFERS TO THERMALLY INDUCED DISLOCATIONS

Verfahren zum Testen der Widerstandsfähigkeit von Halbleiterscheiben aus einkristallinem Silizium gegen thermisch induzierte Versetzungen, umfassenddas Unterziehen einer Halbleiterscheibe einer auf Eigenschaften des Halbleitermaterials abgestimmten Wärmebehandlung in einem Vertikalofen, wobei die Ha...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Hauptverfasser:	Köster, Ludwig, Soyka, Elena, Boy, Michael
Format:	Patent
Sprache:	eng ; fre ; ger
Schlagworte:	AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUSPOLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE APPARATUS THEREFOR BASIC ELECTRIC ELEMENTS CHEMISTRY CRYSTAL GROWTH ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR ELECTRICITY METALLURGY PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL SEMICONDUCTOR DEVICES SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITHDEFINED STRUCTURE SINGLE-CRYSTAL-GROWTH UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL ORUNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL
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