SINGLE CRYSTAL LAYER STACK FOR THE PRODUCTION OF MICROELECTRONIC DEVICES WITH 3D ARCHITECTURE

Empilement (100) de couches de matériaux monocristallins adapté à la réalisation de dispositifs microélectroniques à architecture 3D comprenant des transistors, incluant plusieurs premières couches (104) de matériau monocristallin, plusieurs deuxièmes couches (106) de matériau monocristallin différent de celui des premières couches, et au moins une troisième couche (108) de matériau monocristallin différent de ceux des premières et deuxièmes couches, dans lequel :- un premier des matériaux monocristallins des premières, deuxièmes et troisième couches correspond à du silicium intrinsèque ;- un deuxième des matériaux monocristallins des premières, deuxièmes et troisième couches correspond à du SiGe intrinsèque ;- un troisième des matériaux monocristallins des premières, deuxièmes et troisième couches correspond à du silicium dopé p ou du SiGe dopé p. Stack of layers of monocrystalline materials suitable for producing microelectronic devices with 3D architecture comprising transistors, including several first layers of monocrystalline material, several second layers of monocrystalline material different from that of the first layers, and at least one third layer of monocrystalline material different from those of the first and second layers, wherein: a first of the monocrystalline materials of the first, second and third layers corresponds to intrinsic silicon; a second of the monocrystalline materials of the first, second and third layers corresponds to intrinsic SiGe; a third of the monocrystalline materials of the first, second and third layers corresponds to p-doped silicon or p-doped SiGe.