SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH IMPROVED VOLTAGE WITHSTAND

Structure semi-conductrice comportant au moins :- un substrat (102),- une couche tampon (104),- un super-réseau formé sur la couche tampon (104), ledit super-réseau comportant un motif comprenant deux couches en matériaux différents (106, 108), chaque couche (106, 108) comportant un matériau de type AlxGayInwBzN avec x + y + w +z = 1, l'épaisseur de chaque couche (106, 108) étant inférieure à son épaisseur critique, le nombre de motifs étant au moins égal à 50,- une couche intercalaire (110) dont le matériau présente un premier paramètre de maille,- une couche de matériau de GaN (112), dont le paramètre de maille est supérieur au premier paramètre de maille de sorte que la couche de matériau de GaN (112) soit mise en compression par la couche intercalaire (110). A semiconductor structure including a substrate, a buffer layer, a superlattice formed on the buffer layer, the superlattice including a pattern including n layers made of different materials, n being at least equal to 2, each layer including an AlxGayInwBzN type material where x+y+w+z=1, the thickness of each layer being less than the critical thickness thereof, the number of patterns being at least equal to 50, an insert layer wherein the material has a first lattice parameter, a layer of GaN material, wherein the lattice parameter is greater than the first lattice parameter such that the layer of GaN material is compressed by the insert layer.