SEMICONDUCTOR MODULE COMPRISING AT LEAST A FIRST SEMICONDUCTOR DEVICE, A SECOND SEMICONDUCTOR DEVICE AND A HEAT SINK

Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul (2) mit zumindest einer ersten Halbleiteranordnung (4), einer zweiten Halbleiteranordnung (6) und einem gemeinsamen Kühlkörper (14), wobei der Kühlkörper (14) konfiguriert ist, dass ein Kühlfluid in eine Kühlfluidströmungsrichtung (18) geleitet wird, wobei...

Ausführliche Beschreibung

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Bibliographische Detailangaben
Hauptverfasser: Schmenger, Jens, Nährig, Matthias
Format: Patent
Sprache:eng ; fre ; ger
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Beschreibung
Zusammenfassung:Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul (2) mit zumindest einer ersten Halbleiteranordnung (4), einer zweiten Halbleiteranordnung (6) und einem gemeinsamen Kühlkörper (14), wobei der Kühlkörper (14) konfiguriert ist, dass ein Kühlfluid in eine Kühlfluidströmungsrichtung (18) geleitet wird, wobei die Halbleiteranordnungen (4, 6) auf einer Oberfläche (12) des Kühlkörpers (14) angeordnet sind, wobei die Halbleiteranordnungen (4, 6) jeweils ein Substrat (22, 24) aufweisen, auf welchem jeweils mindestens ein Halbleiterelement (28), insbesondere stoffschlüssig, verbunden ist, wobei die Substrate (22, 24) jeweils eine dielektrische Materiallage (30, 32) umfassen. Um eine verbesserte Zuverlässigkeit zu erreichen, wird vorgeschlagen, dass sich eine zweite dielektrische Materiallage (32) der zweiten Halbleiteranordnung (6) von einer ersten dielektrischen Materiallage (30) der ersten Halbleiteranordnung (4) zumindest hinsichtlich ihrer Wärmeleitfähigkeit unterscheidet. The invention relates to a semiconductor module (2) having at least a first semiconductor assembly (4), a second semiconductor assembly (6) and a common heat sink (14), wherein: the heat sink (14) is configured such that a cooling fluid is conducted in a cooling-fluid flow direction (18); the semiconductor assemblies (4, 6) are disposed on a surface (12) of the heat sink (14); the semiconductor assemblies (4, 6) each have a substrate (22, 24), and on each of said substrates at least one semiconductor element (28) is connected, in particularly integrally; the substrates (22, 24) each comprise a dielectric material layer (30, 32). In order to achieve improved reliability, according to the invention a second dielectric material layer (32) of the second semiconductor assembly (6) differs, at least in respect of its thermal conductivity, from a first dielectric material layer (30) of the first semiconductor assembly (4).