METHOD FOR MANUFACTURING A THREE-DIMENSIONALLY INTEGRATED SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE

Das hierin beschriebene Konzept betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines dreidimensional-integrierten Halbleiterspeichers (1000). Hierfür wird zunächst ein Schichtstapel (100) mit mehreren Einzelschichten (101, 102) unterschiedlicher Materialtypen bereitgestellt. Zunächst werden Einzelschichten (101) eines ersten Materialtyps selektiv aus dem Schichtstapel (100) herausgeätzt. Hierfür wird erfindungsgemäß ein Trockenätzprozess eingesetzt. Anschließend werden Einzelschichten (103) eines dritten Materialtyps erzeugt, indem entweder Leerräume (107) mit einem dritten Material befüllt werden, oder die Einzelschichten (102) des zweiten Materialtyps in die Einzelschichten (103) des dritten Materialtyps gewandelt werden, oder die Einzelschichten (102) des zweiten Materialtyps mit einem Material des dritten Materialtyps belegt werden. Leerräume (108) zwischen den Einzelschichten (103) des dritten Materialtyps können dann nochmals mit einem vierten Material gefüllt werden, sodass in diesen Leerräumen (108) Einzelschichten (104) eines vierten Materialtyps entstehen. Mittels eines geeigneten vertikalen Ätzprozesses, können die Einzelschichten (104) des vierten Materialtyps voneinander elektrisch getrennt werden, um so eine Word Line des erzeugten dreidimensional-integrierten Halbleiterspeichers (1000) zu bilden. The concept relates to a method for producing a three-dimensionally integrated semiconductor memory. A layer stack having several individual layers of different material types is provided and individual layers of a first material type are etched out selectively from the layer stack by a dry etching process. Individual layers of a third material type are generated either by filling voids with a third material or converting the individual layers of the second material type into the individual layers of the third material type, or by coating the individual layers of the second material type with a material of the third material type. Voids between the individual layers of the third material type can then again be filled with a fourth material, such that individual layers of a fourth material type are formed in these voids.