PHOTOVOLTAIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
The invention relates to an interdigitated back contact (IBC) photovoltaic device (1), comprising:a silicon-based substrate (3), an intrinsic amorphous silicon layer a-Si:H(i) (5) situated on substrate (3) a first patterned silicon layer (2), and a second patterned nano-crystalline silicon layer (4)...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; ger |
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