A SEMICONDUCTOR POWER MODULE WITH TWO DIFFERENT POTTING MATERIALS AND A METHOD FOR FABRICATING THE SAME
A semiconductor power module (10) comprises an insulating interposer (1) comprising an insulative layer (1A) disposed between a lower metal layer, a first upper metal layer (1B) and a second upper metal layer (1C), a semiconductor transistor die (2) disposed on the first upper metal layer (1B), an e...
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Format: | Patent |
Sprache: | eng ; fre ; ger |
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