METHOD AND DEVICE FOR FORMING AN EDGE STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR COMPONENT

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Randstruktur eines Halbleiterbauelements, aufweisend die Schritte: Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1), der wenigstens zwei zueinander beabstandete Hauptflächen (3, 4) mit jeweils einem Rand (5, 6) aufweist, zwischen welchen Rändern (5, 6) sich eine Randfläche (7) erstreckt, und Ätzen einer vorbestimmten Randkontur durch Auftragen eines chemischen Ätzmittels gezielt auf die Randfläche (7) mittels eines Ätzmittelstrahls (11) bei gleichzeitiger Rotation des Halbleiterkörpers (1) um eine Rotationsachse (2). Der Ätzmittelstrahl (11) wird mit einem vorbestimmten Strahlquerschnitt (12) derart tangential gerichtet zur Randfläche (7) geführt, dass der Ätzmittelstrahl (11) lediglich mit einem Teil seines Strahlquerschnitts (12) auf die Randfläche (7) auftrifft.Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung (20, 30) zur Herstellung einer Randstruktur eines Halbleiterbauelements. A method for producing an edge structure of a semiconductor component includes: providing a semiconductor body having at least two mutually spaced-apart main faces respectively having an edge, between which edges an edge face extends; and etching a predetermined edge contour by purposely applying a chemical etchant onto the edge face by an etchant jet with simultaneous rotation of the semiconductor body about a rotation axis. The etchant jet is guided with a predetermined jet cross section, while being directed tangentially with respect to the edge face, such that the etchant jet impinges on the edge face only with a part of the jet cross section. A corresponding device for producing an edge structure of a semiconductor component is also described.